China surpasses South Korea in basic semiconductors, NAND follows Japan under pressure.

私が信じていたメモリ半導体技術さえも、中国に追いつかれてしまった。システムとメモリに関係なく、プロセスと量産における優位性を維持することによってのみ、基礎研究と設計能力において中国に遅れをとっていたことが判明した。

23日に韓国科学技術企画評価院（KISTEP）によって公開された報告書「3大ゲームチェンジャー分野の技術レベルの深層分析」によると、韓国の半導体「基礎能力」は、メモリ、パッケージング、電力、センシング、人工知能（AI）の5つの分野のうち4つで中国に追い越され、先進パッケージングのみがトップの座を分け合っている。報告書の質問に参加した韓国の39人の専門家は、2022年に韓国がメモリ、パッケージング、センシングの3つの分野の技術で中国をリードしていると評価した。しかし、2年で状況は逆転した。

先進国の技術レベルを100％とした場合、高集積および抵抗ベースのメモリ技術において、中国は韓国の90.9％よりも高い94.1％である。高性能、低電力AI半導体において、韓国と中国はそれぞれ84.1％と88.3％を占め、電力半導体において韓国は79.8％、次世代高性能センシングにおいて韓国と中国はそれぞれ81.3％と83.9％である。商業化基準に関して、韓国はメモリと先進パッケージングのみで中国をリードした。報告書は、中核的人材の流出、米中間の制約、および国の国中心の半導体政策が韓国の半導体に悪影響を与え、AI半導体市場の拡大が韓国の半導体に良い影響を与えるだろうと予測している。

日本のメモリも台頭してきている。最近、日本経済新聞は、日本のメモリ半導体企業であるキオクシアが332層のNANDフラッシュメモリの開発に成功したと報じた。層の数において、SKハイニックスの321層とサムスン電子の286層を上回っている。現在、サムスン電子は世界のNAND市場で36.9％のシェアを持ち、次いでSKハイニックスが22.1％、キオクシアが13.8％である。